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第三代半导体又火了!国产替代借此“弯道超车”?

2020-11-04 13:11
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  【中国白银网11月4日讯】2029年市场规模将超50亿美元


  第三代半导体的火爆,主要是受到两方面因素的共同催化,一方面,受国家政策面影响,中国将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中;另一方面,当前国内的人工智能、5G等产业的技术和应用发展向好,支撑了板块内相关细分行业的业绩。


  在我国发力“新基建”的背景下,第三代半导体材料成了非常重要的技术支撑。今年4月,国家发改委首次官宣“新基建”的范围,正式定调了5G基建、人工智能、工业互联网等七大领域的发展方向。而以氮化(GaN)、碳化硅(SiC)为首的第三代半导体是支持“新基建”的核心材料。比如,以氮化镓(GaN)为核心的射频半导体,支撑着5G基站及工业互联网系统的建设;以碳化硅(SiC) 以及IGBT为核心的功率半导体,支撑着新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统的建设。


  根据Omdia的《2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示,2018年,全球碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的销售收入为5.71亿美元,预计到2020年底增至8.54亿美元。未来十年将保持年均两位数增长率,到2029年将超过50亿美元。根据Yole数据,到2024年SiC功率半导体市场规模将增长至20亿美元,其中,汽车市场占SiC功率半导体市场比重到2024年预计将达50%。


  第三代半导体带来弯道超车机会


  在业内人士看来,第三代半导体更重要的意义是在功率器件领域,通过其特殊的材料特性,改进相关芯片及器件性能。


  相较于第一代(硅、锗为代表)、第二代(砷化镓、磷化为代表)半导体材料,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,具有应用于光电器件、微波射频器件、电力电子器件等的先天性能优势,在新能源汽车、智能电网、量子计算机、移动通信设备和基站、光伏等应用领域具有广阔应用前景。


  随着第三代半导体应用需求攀升,国际巨头近年来也通过并购以及扩产来巩固自身优势。据CASA Research不完全统计,2019年国际半导体领域共有包括英飞凌、罗姆、意法半导体等企业通过并购推进其在第三代半导体领域的布局,材料、器件及模组标的均有涉及,整体涉及金额超过100亿美元。


  方正证券研报表示,第三代半导体国内外差距没有一、二代半导体明显。先发优势是半导体行业的特点,Cree高市占率也印证了先发优势的重要性。相较于Si,国产厂商对SiC研究起步时间与国外厂商相差不多,因此国产厂商有希望追上国外厂商,完成国产替代。


  国信证券研报中也表示第三代半导体是中国大陆半导体的希望,并解释了原因:


  第一,第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期,国内和国际巨头基本处于同一起跑线。


  第二,中国有第三代半导体的应用市场,我们可以根据市场定义产品,而不是像以前跟着国际巨头做国产化替代。


  第三,第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计,而在于工艺,工艺开发具有偶然性,相比较逻辑芯片难度降低。


  第四,对设备要求相对较低,投资额小,国内可以有很多玩家。在资本的推动下,可以全国遍地开花,最终走出来几家第三代半导体公司的概率很大。



(文章来源:财联社)

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